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今年1月，SK海力士研发的1αnm（第四代10nm级别）工艺DDR5服务器DRAM获得了英特尔认证，兼容全新第四代至强可扩展处理器（代号Sapphire Rapids）。其采用了EUV（极紫外）技术，与DDR4产品相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上。

据Chosun Media报道，SK的1βnm（第五代10nm级别）工艺DDR5服务器DRAM启动了英特尔的兼容性验证程序，下个月将进入相关的流程，这意味着该款内存已进入量产前的最后准备阶段，距离正式量产已经不远了。传闻新工艺在效能方面会有进一步的提升，同时成本方面也更具有竞争力。

相比于CPU和GPU，尽管DRAM使用的半导体工艺推进的速度要慢得多，但几乎所有的DRAM制造商都在不断地缩小制程节点。存储器不太热衷于采用新工艺，一定程度上是因为更先进的制程节点对DRAM的性能改善并没有CPU和GPU那么明显。

SK海力士和三星是DRAM制造商里仅有的两家采用EUV技术的厂商，在1βnm工艺上都引入了EUV技术，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已开发出1βnm工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD完成了兼容性验证。

关键词： 验证程序 合作伙伴 准备阶段