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在去年的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）发表了演讲，展示了一系列底层技术创新，这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。

根据英特尔新版的制程工艺路线图，在Intel 20A制程节点将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

据Wccftech报道，近日英特尔展示了一份产品路线图，显示Intel 4工艺已进入风险生产阶段，不知道这是否意味着Meteor Lake能在2023年推出，不需要如传言那样延期到2024年。此外，路线图还显示Intel 20A工艺将于2024年上半年进入风险生产阶段，将被Arrow Lake所采用，而Intel 18A工艺则是在2024年下半年进入风险生产阶段。

英特尔技术开发总经理Ann B Kelleher表示，摩尔定律是关于增加功能的整合，当我们展望未来10到20年时，有一条充满创新的通道。考虑到英特尔在10nm工艺曾经遇到的挫折，当被问及Intel 20A制程节点应用RibbonFET和PowerVia两大技术的过渡及相关风险时，Ann B Kelleher称不一定会同时进行，但已看到转移到PowerVia并启用RibbonFET技术的明显优势，这也促使英特尔加快了开发的工作。

关键词： 生产阶段 驱动电流